[发明专利]半胱氨酸表面修饰的CdTe或CdTe/CdS量子点的制备及用其检测砷的方法

摘要

本发明公开了一种半胱氨酸表面修饰的CdTe/CdS量子点的制备方法，包括以下步骤：室温条件下，将含镉化合物粉末与半胱氨酸混合，充分搅拌调pH值后得到Cd前体溶液；然后在Te粉中加入NaBH4，再注入酸液，在氮气流的作用下将酸化产生的H2Te气体带出通入到Cd前体溶液中，加热反应回流，得到CdTe量子点溶液，再向溶液中加入Na2S溶液，静置后即可得到半胱氨酸表面修饰的CdTe/CdS核壳量子点。将本发明的量子点加入含砷离子的溶液中，用荧光分光光度计对其进行荧光定量表征，得到荧光响应曲线，据此可实现对待测溶液中三价砷离子浓度的定性或定量检测。本发明具有操作简单、灵敏度较高、选择性较好等优点。

主权项

一种半胱氨酸表面修饰的CdTe量子点的制备方法，包括以下步骤：（1）制备Cd前体溶液：室温条件下，将含镉化合物粉末与半胱氨酸按照1︰（0.5～8.0）的摩尔比混合，充分搅拌使混合物溶解于水中，将pH值调节至9.0～11.2，得到Cd前体溶液；（2）生成H2Te：氮气保护下，在Te粉中加入NaBH4水溶液，震荡使之混合均匀，反应至Te粉全部溶解，再注入酸液进行酸化，在氮气流的作用下，将酸化产生的H2Te气体带出；（3）将步骤（2）中生成的H2Te气体通入到步骤（1）中制得的Cd前体溶液中；控制溶液中Cd、Te、半胱氨酸的摩尔比为1︰（0.1～4）︰（0.5～8），加热到80℃～110℃，反应回流，反应完成后停止加热，得到半胱氨酸表面修饰的CdTe量子点溶液。