[发明专利]MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法有效
| 申请号： | 201210492232.4 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103837744A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈乐乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/14 | 分类号： | G01R27/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MOS晶体管；在所述MOS晶体管的栅电极上施加第一电压，在所述MOS晶体管的源极施加第二电压，第一电压不断增大，第二电压保持不变，测量获得不同的第一电压值下对应的至少10个源漏电流值；通过第二电压和至少10个源漏电流值，计算获得不同的第一电压下对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻，所述MOS晶体管源漏电阻包括沟道区电阻和外部寄生电阻；通过对不同的第一电压值和对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻进行5次方曲线拟合，获得MOS晶体管的外部寄生电阻。本发明的方法，测量过程简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 外部 寄生 电阻 测量方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的外部寄生电阻的测量方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成MOS晶体管，所述MOS晶体管包括位于半导体衬底上的栅介质层和位于栅介质层上的栅电极、以及位于栅电极两侧的半导体衬底内的源/漏极；在所述MOS晶体管的栅电极上施加第一电压，在所述MOS晶体管的源极施加第二电压，第一电压不断增大，第二电压保持不变，测量获得不同的第一电压值下对应的至少10个源漏电流值，MOS晶体管始终工作在线性区；通过第二电压和至少10个源漏电流值，计算获得不同的第一电压下对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻，所述MOS晶体管源漏电阻包括沟道区电阻和外部寄生电阻；通过对不同的第一电压值和对应的至少10个MOS晶体管源漏电阻进行5次方曲线拟合，获得MOS晶体管的外部寄生电阻。
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