[发明专利]一种硫化镉薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210483334.X | 申请日： | 2012-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102936034A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 彭星煜;古宏伟;屈飞;丁发柱;张腾;王洪艳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种硫化镉薄膜的制备方法，其制备步骤如下：首先清洗衬底，然后将Triton X-100、含镉化合物、铵盐、硫脲以及氨水溶解于去离子水中，配制成反应溶液。所述的反应溶液中，各组分重量百分比为：Triton X-100 0.1%-12%，含镉化合物0.05%，铵盐0.08%，硫脲0.08%，氨水4%，其余为去离子水；将装有所述反应溶液的容器放入水浴设备中，升温至50℃-90℃；在所述的反应溶液中放入衬底，开始沉积薄膜，沉积时间为1-120min；沉积完成后，取出衬底并清洗。本发明通过控制反应溶液中Triton X-100的重量百分比调节硫化镉薄膜带隙宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硫化镉薄膜的制备方法，其特征在于所述的制备方法为向反应溶液中添加Triton X‑100，通过控制Triton X‑100在反应溶液中的重量百分比，调控硫化镉薄膜带隙宽度在2.2eV‑2.9eV范围内变化。
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