[发明专利]CuInS2纳米线的一步合成制备方法无效

专利信息
申请号: 201210482523.5 申请日: 2012-11-22
公开(公告)号: CN102951676A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 邹超;李强;黄少铭 申请(专利权)人: 温州大学
主分类号: C01G15/00 分类号: C01G15/00;B82Y40/00
代理公司: 北京中北知识产权代理有限公司 11253 代理人: 程春生
地址: 325000*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种CuInS2纳米线的一步合成制备方法,包括以下步骤:(1)将反应前驱体加入反应容器内;之后向反应容器内依次加入胺类、硫醇和表面配体;(2)将反应容器放入恒温油浴中,磁力搅拌反应,反应结束冷却至室温;取出原溶液,用正己烷稀释,超声振荡,在转速下离心分离,CuInS2结沉于容器底部,弃去上清液,得到CuInS2纳米线。本发明利用前驱体活性的差异,前驱体硫代氨基甲酸银在高温下首先分解形成的硫化银,作为催化剂,乙酰丙酮铜、硫代氨基甲酸铟高温分解形成的产物溶解在硫化银催化剂中,达到饱和后,从硫化银颗粒中析出CuInS2,形成CuInS2半导体纳米线。该方法在常压下即可实现对CuInS2半导体纳米线形状和结构控制,产率可达90%以上。
搜索关键词: cuins sub 纳米 一步 合成 制备 方法
【主权项】:
一种CuInS2纳米线的一步合成制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将作为反应前驱体的硫代氨基甲酸银、乙酰丙酮铜和硫代氨基甲酸铟加入反应容器内;之后向反应容器内依次加入胺类、硫醇和表面配体;(2)将反应容器放入恒温油浴中,磁力搅拌反应,反应结束冷却至室温;取出原溶液,用正己烷稀释,超声振荡,在转速下离心分离,CuInS2结沉于容器底部,弃去上清液,得到CuInS2纳米线。
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