[发明专利]一种高电源抑制比的线性电源电路

摘要

本发明公开了一种高电源抑制比的线性电源电路。本电路用过采用两个偏置电路，即偏置电路a，偏置电路b，上电时用偏置电路b给误差放大器提供基准电压和基准电流，偏置电路b的电源是系统电源VBAT，当电源稳定后，用线性电源的输出VLDO给偏置电路a供电，此时偏置电路b已停止工作，由偏置电路a给误差放大器提供基准电压和基准电流，由于VLDO的稳定性远大于电源VBAT，所以偏置电路a产生的基准电压和基准电流的稳定性远高于偏置电路b产生的基准电压和基准电流的稳定性，从而实现了一种高电源抑制比的线性电源电路。

主权项

一种高电源抑制比的线性电源电路，其特征在于：由偏置电路a、偏置电路b、电阻RP、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电容CC、误差放大器EA以及功率管MP组成；偏置电路a包括PMOS管Ma1、PMOS管Ma2、PMOS管Ma3、PMOS管Ma4、NMOS管Ma5、NMOS管Ma6、NMOS管Ma7、NMOS管Ma8、NMOS管Ma9、电阻Ra1、电阻Ra2，偏置电路a的电源为线性电源的输出VLDO，PMOS管Ma1、Ma2、Ma3、Ma4以及电阻Ra1的一端连接到VLDO，电阻Ra1的另一端连接到NMOS管Ma7的栅极和NMOS管Ma8的漏极，电阻Ra2的一端接到NMOS管Ma7的源极和NMOS管Ma8的栅极，另一端接到地，NMOS管Ma8、Ma9的源极接地，PMOS管Ma4的栅漏短接并与PMOS管Ma3的栅极连接形成电流镜结构，并连接到NMOS管Ma7的漏极，NMOS管Ma6的栅漏短接并与NMOS管Ma5的栅极连接形成电流镜结构，并连接到PMOS管Ma3的漏极，NMOS管Ma5的源极连接到电阻Rp的一端，电阻Rp的另一端连接到电阻R0的一端和NMOS管Ma9的栅极，R0的另一端接到，PMOS管Ma2的栅漏短接并与PMOS管Ma1的栅极连接形成电流镜结构，并连接到NMOS管Ma5的漏极，PMOS管Ma1的漏极连接到Iref；偏置电路b由PMOS管Mb1、PMOS管Mb2、PMOS管Mb3、PMOS管Mb4、NMOS管Mb5、NMOS管Mb6、NMOS管Mb7、NMOS管Mb8、NMOS管Mb9、电阻Rb1、电阻Rb2组成，其供电电源为系统电源VBAT，偏置电路b的电路结构和连接关系与偏置电路a完全一致；误差放大器EA的正输入端连接反馈电压VF，即电阻R1和电阻R2的一端，负输入端连接到Vref，其参考电流输入为Iref，EA的输出连接到PMOS功率管MP的栅极，MP的源极连接到电源VBAT，漏极连接到电阻R1和电容CC的一端，电阻R2和电容CC另一端接地，MP的漏极VLDO即线性电源的输出。