[发明专利]一种低氟溶液法制备MgF2薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 201210457558.3 申请日: 2012-11-14
公开(公告)号: CN102963915A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 陈源清;张古强;赵高扬 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C01F5/28 分类号: C01F5/28
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种低氟溶液法制备MgF2薄膜的方法,首先,用三氟乙酸作反应物将醋酸镁溶解于溶剂中形成了性能稳定且成膜性好的低氟氟化镁钇钡铜氧溶液;然后用所配制的低氟氟化镁溶液作为前驱体溶液,结合浸渍提拉法或旋转涂覆法在基底上,制备凝胶薄膜,随后将得到的凝胶薄膜在空气下干燥;最后进行热处理,即得MgF2薄膜。本发明的方法采用价格低廉的醋酸镁和乙醇为起始原料,通过三氟乙酸化学反应,形成三氟醋酸盐,溶解于乙醇中形成了性能稳定且成膜性好的低氟氟化镁溶液。通过提拉、悬涂等方法将所得到的薄膜进行烘干和简单的热处理后,即可制备出性能良好的氟化镁薄膜。
搜索关键词: 一种 溶液 法制 mgf sub 薄膜 方法
【主权项】:
一种低氟溶液法制备MgF2薄膜的方法,其特征在于,首先,用三氟乙酸作反应物将醋酸镁溶解于溶剂中形成了性能稳定且成膜性好的低氟氟化镁溶液;然后用所配制的低氟氟化镁溶液作为前驱体溶液,结合浸渍提拉法或旋转涂覆法在基底上,制备凝胶薄膜,随后将得到的凝胶薄膜在空气下干燥;最后进行热处理,即得MgF2薄膜。
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