[发明专利]能实现匹配的比例集成电阻版图结构无效
申请号: | 201210453609.5 | 申请日: | 2012-11-14 |
公开(公告)号: | CN102931190A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 任国栋;赵世芳;魏智强;蒲忠胜;冯旺军;戴剑锋;褚润通;王道斌;雷景丽;武钢;冯有才;李晓晓;李瑞山;王青;陈玉红;侯尚林 | 申请(专利权)人: | 兰州理工大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 兰州振华专利代理有限责任公司 62102 | 代理人: | 董斌 |
地址: | 730050 *** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 能实现匹配的比例集成电阻版图结构,减小了集成电路中比例电阻占用的面积,减小的面积来自相邻电阻满足光刻对准的间距要求。在电阻中插入悬空的接触孔图形,即虚假接触孔,可以替代光刻对准的间距要求和互连的金属图形,需要在比例电阻的比例项电阻中均插入虚假接触孔。在比例电阻中任意相邻接触孔之间的电阻块的几何尺寸完全相同,通过电阻块的串并联可以得到所需的电阻比例。 | ||
搜索关键词: | 实现 匹配 比例 集成 电阻 版图 结构 | ||
【主权项】:
能实现匹配的比例集成电阻版图结构,其特征是采用虚假接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的