[发明专利]一种片式忆阻器及其制备方法无效
| 申请号： | 201210449341.8 | 申请日： | 2012-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102931349A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 周济;蔡坤鹏;李勃;李龙土 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 薄观玖 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体、电子元器件技术领域，特别涉及一种片式忆阻器及其制备方法。本发明包括两平行板导电电极，两平行板导电电极通过位于二者之间的有效忆阻功能介质材料相连，形成三明治结构。通过将有效忆阻功能介质材料与电极制备成三明治结构，再包覆绝缘保护层并在结构空隙中填充绝缘材料得到完整片式忆阻器。本发明的制造方法简单，成本低，可获得一种能够用于集成电路电子领域的新型无源电子元件，能提高数字电路的集成性，推动电子电路产品的轻型化、薄小化和智能化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 片式忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种片式忆阻器，其特征在于：包括两平行板导电电极（1），两平行板导电电极（1）通过位于二者之间的有效忆阻功能介质材料（2）相连，形成三明治结构。
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