[发明专利]太赫兹波段光子晶体制作方法无效

专利信息
申请号: 201210446050.3 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN103064146A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张文涛;林贤;马国宏;岳中岳;钟敏建;戴晔 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G02B6/13 分类号: G02B6/13
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种太赫兹波段光子晶体制作方法。本发明通过选择适当材料,利用飞秒微加工直写技术,分散加工,组装堆叠的方法,可以实现一维、二维或者三维太赫兹波段光子晶体的制作,可以方便的在制作的太赫兹波段光子晶体中添加缺陷。本发明制作的光子晶体对应的波段处于太赫兹波段,位于微波和红外波之间,光子晶体周期介质单元尺寸在百微米量级。本发明制作的光子晶体周期介质的单元形状规整,能够良好的对太赫兹波段电磁波进行调节控制,具有理想的太赫兹波段电磁波透射谱以及反射谱。本发明的制作方法,可以制作包括光子晶体在内的多种复杂结构的太赫兹波段光子器件。
搜索关键词: 赫兹 波段 光子 晶体 制作方法
【主权项】:
一种太赫兹波段光子晶体制作方法,其特征在于操作步骤为:1)按照需要设计光子晶体的结构,将其分解为多层结构的叠加,得到每层的结构及其尺寸;2)选取薄片状介质材料作为光子晶体周期性介质材料,薄片状介质材料的厚度与步骤1)得到的各层的厚度相同;3)按照各层的结构,使用飞秒微加工直写技术对薄片状介质材料进行加工;4)组装带有结构的薄片状介质材料,得到一维、二维或三维的太赫兹波段光子晶体。
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