[发明专利]室温下对氢气与氧气快速响应的MoO3@Ag纳米线气体传感器的制备方法无效
| 申请号： | 201210445831.0 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102944578A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 董文钧;沈金明;沈旸 | 申请（专利权）人： | 江苏康宝电器有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 陈君伟 |
| 地址： | 225600 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 室温下对氢气与氧气快速响应的MoO3@Ag纳米线气体传感器的制备方法，涉及传感器生产技术领域。将MoO3@Ag纳米线分散在二次去离子水中，然后在真空下抽滤得到MoO3@Ag纳米线薄膜，然后将MoO3@Ag纳米线薄膜在80℃下真空干燥，最后将纳米线薄膜制成MoO3@Ag纳米线传感器。本发明薄膜易于剪裁及器件制备，产品价格便宜、易于保存，在室温下具有高灵敏性，特别是在室温下对500ppm的氢气及1000ppm的氧气具有良好的传感性能。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 氢气 氧气 快速 响应 moo sub ag 纳米 气体 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
室温下对氢气与氧气快速响应的MoO3@Ag纳米线气体传感器的制备方法，将MoO3@Ag纳米线分散在二次去离子水中，然后在真空下抽滤得到MoO3@Ag纳米线薄膜，然后将MoO3@Ag纳米线薄膜在80℃下真空干燥，最后将纳米线薄膜制成MoO3@Ag纳米线传感器。
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