[发明专利]一种外延标记及其相应的制作方法

摘要

本发明提供一种外延标记制作方法，包括：在衬底上依次生长第一氧化层和第一光刻胶，在第一光刻胶中形成埋层窗口和埋层光刻标记；去除埋层窗口中的第一氧化层，在衬底上形成埋层区域并进行离子注入；去除第一光刻胶并进行退火，在埋层区域上形成第一消耗层和埋层氧化层，在埋层区域外的衬底上形成第二消耗层和第二氧化层，在埋层光刻标记处形成台阶差；在氧化层上覆盖第二光刻胶，在未覆盖第二光刻胶的衬底上形成打开口，去除第二光刻胶，以使第一氧化层至埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度；在打开口形成外延层。本发明还提供一种外延标记，可以使埋层标记不发生外延漂移和畸变，降低光刻对偏，避免因光刻对偏产生的返工率和报废率。

主权项

一种外延标记制作方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上生长第一氧化层；在所述第一氧化层上覆盖第一光刻胶，以所述第一光刻胶为掩膜，通过光刻工艺在所述第一光刻胶中形成埋层窗口，同时形成埋层光刻标记；在所述埋层窗口内去除所述第一氧化层，暴露出所述衬底，在暴露出的所述衬底上形成埋层区域，并向所述埋层区域进行离子注入；去除所述第一光刻胶，对所述埋层区域进行退火工艺，在对应所述埋层区域部分的所述衬底上由下至上依次形成第一消耗层和埋层氧化层，在对应所述埋层区域外的所述衬底上由下至上依次形成第二消耗层和第二氧化层，且所述第一消耗层和第二消耗层在所述埋层光刻标记处形成的台阶差作为光刻对准标记；在所述埋层氧化层及与埋层氧化层相邻的部分第一氧化层上覆盖第二光刻胶，以所述第二光刻胶为掩膜，由上至下依次刻蚀，暴露出所述衬底，形成打开口，去除所述第二光刻胶，暴露出所述第一氧化层，以使所述第一氧化层至所述埋层光刻标记的距离大于等于外延厚度；在所述打开口采用外延生长工艺形成外延层。