[发明专利]SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法有效
| 申请号： | 201210437077.6 | 申请日： | 2012-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102910834A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 杨合情;李小博;申琼;王学文 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | C03C17/245 | 分类号： | C03C17/245 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 申忠才 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米锥阵列，所制备的SnO2纳米锥阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条件温和、重复性好、阵列取向性好，可在传感器、染料敏化太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | sno sub 纳米 阵列 低温 化学 沉积 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法，其特征在于包括下述步骤：（1）FTO导电玻璃预处理将FTO导电玻璃裁成25x20mm2的矩形片，依次放入去离子水、丙酮、无水乙醇中，分别在功率为245～255W、频率为35～45kHz条件下各超声波清洗30分钟，自然晾干；（2）制备SnO2纳米锥阵列称取SnCl2·2H2O与ZnCl2质量比为1：0.8～11置于坩埚内，混匀，将步骤（1）晾干的FTO导电玻璃竖直放置在坩埚内，FTO导电玻璃的底边距离坩埚内的SnCl2·2H2O与ZnCl2混合物的距离为0.8～1.2cm，置于马弗炉内加热至560～610℃，升温速率为10℃/分钟，停止加热，静置，冷却至室温，在FTO导电玻璃上得到SnO2纳米锥阵列。
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