[发明专利]一种寄生效应低品质因子高的改进型开关电容结构

摘要

本发明公开了一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构。相对于由一个NMOS管和一个电容实现的传统开关电容结构，本开关电容结构主要进行了如下改进：将NMOS管的栅极电压通过一个反相器和一个电阻连接到NMOS管的漏极，降低了开关管开启时的等效寄生电阻，减小了开关管关闭时的等效寄生电容，优化了NMOS开关管的开关特性。改进后的开关电容结构具有寄生效应低，品质因子高以及有效容差大的特性。

主权项

一种寄生效应低、品质因子高的改进型开关电容结构，其特征在于：它包括一个NMOS开关管（N1）、一个反相器（INV）、一个电阻（R0）、一个电容（C），所述NMOS开关管（N1）栅极为开关控制信号D的输入端，漏极与电容（C）的一端连接，源极和衬底都接电源地（GND），所述反相器（INV）的输入为开关控制信号D的输入端，输出接电阻（R0）的一端，电阻（R0）的另一端接NMOS开关管的漏极，电容的另一端为开关电容的输出端OUT。