[发明专利]一种薄膜太阳能电池的清边方法有效
申请号: | 201210403169.2 | 申请日: | 2012-10-19 |
公开(公告)号: | CN102916081A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 张立国 | 申请(专利权)人: | 张立国 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B23K26/06;B23K26/073 |
代理公司: | 广州天河互易知识产权代理事务所(普通合伙) 44294 | 代理人: | 鲍子玉 |
地址: | 430000 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于激光加工领域,公开一种薄膜太阳能电池的清边方法,具体为一种利用超短脉冲激光进行薄膜太阳能电池的清边方法,本发明的重要特点是:将透明导电膜吸收率很高的高峰值功率超短脉冲激光引入到太阳能薄膜电池清边的应用中,相对于红外纳秒激光清边所用激光功率,本发明采用较小的激光平均功率即可完成高效、高质量的激光清边,且不容易伤玻璃,对不同种类透明导电膜兼容性极强,且使用成本降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的清边方法,其特征在于:采用波长脉冲宽度从1皮秒到1纳秒之间的超短脉冲的激光光束,经光学聚焦系统聚焦,直接汽化包括透明导电膜在内的薄膜材料,实现薄膜太阳能玻璃基板表面薄膜清除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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