[发明专利]一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种高光电转换率晶体硅太阳能电池及其制造方法，所述电池包括晶体硅P-N结衬底；与晶体硅P-N结衬底P区欧姆接触的背电极；与晶体硅P-N结衬底N区欧姆接触的前栅电极；前栅电极细栅被包覆于减反射层之下；位于晶体硅P-N结衬底N区表面的SiO2层及其上的减反射层。所述制造方法包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、洗磷和刻蚀步骤、制备背电极步骤、光诱导电镀前栅电极步骤、氧化烧结步骤、电镀前栅电极步骤、制备减反射层步骤。本发明采用光诱导电镀前栅电极、氧化烧结，具有生产工艺简单、效率高、成本低和太阳能电池前栅电极阴影损失小、接触电阻及体电阻低、细前栅电极不易断线、电池表面反射率低、光电转化效率高的特点。

主权项

一种高光电转换率晶体硅太阳能电池，包括晶体硅P‑N结、P区背电极，所述的P区背电极与晶体硅P‑N结电性连接，晶体硅P‑N结之N区表面设置前栅电极，其特征是：所述的前栅电极由电化学沉积形成且与晶体硅P‑N结之N区的高导电性金属构成，所述的晶体硅P‑N结之N区表面由内至外设置SiO2层和减反射层。