[发明专利]一种镀有导电聚合物纳米薄膜的伏安传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201210384644.6 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102914582A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 司鹏超;张栋;杨皖凤;肖鑫鑫 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333;G01N27/38;B81C1/00 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 邓建国 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镀有导电聚合物纳米薄膜的伏安传感器，通过电化学聚合法制备可作为伏安传感器基层的导电聚合物纳米薄膜衬底材料；通过调控和优化制备导电聚合物的工艺，制备出高导电性和纳米厚度的导电聚合物衬底材料；制作基于导电聚合物/聚氯乙烯纳米薄膜的离子选择性电极；使用旋转沉积技术制备含有离子载体和离子交换分子的聚氯乙烯复合材料，通过控制沉积条件，在上述导电聚合物纳米薄膜衬底材料的表面形成离子选择性聚合物纳米薄膜。本发明经过调节药品的使用比例，该离子选择性传感器具有高选择性、高灵敏度的特点，可以监测到水中10-8M的离子浓度；上述传感器感应时间短，重现性和可逆性良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 聚合物 纳米 薄膜 伏安 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种镀有导电聚合物纳米薄膜的伏安传感器，其特征是，包括如下制作步骤：步骤（1），利用电化学聚合法，通过调控和优化制备导电聚合物的工艺，制备可作为伏安传感器基层的、具有高导电性和纳米厚度的导电聚合物衬底材料；步骤（2），制作基于导电聚合物/聚氯乙烯纳米薄膜的离子选择性电极；使用旋转沉积技术制备含有离子载体和离子交换分子的聚氯乙烯复合材料，通过控制沉积条件，在上述导电聚合物纳米薄膜衬底材料的表面形成离子选择性聚合物纳米薄膜。
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