[发明专利]微电场梯度结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201210382419.9 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102897705A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 葛海雄;陈延峰;袁长胜;卢明辉 | 申请（专利权）人： | 无锡英普林纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微电场梯度结构及其制备方法，该微电场梯度结构由电阻基体、电阻基体表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于电阻基体的间隔一定间距的聚合物II薄片阵列、附着在薄片表面并与电阻基体相连的导电层组成。其制备方法包括以下步骤：（1）在电阻基体表面制备一层聚合物II；（2）采用刻蚀或压印的方式形成聚合物II的薄片阵列；（3）在薄片阵列表面沉积导电层，并使得导电层与电阻基体紧密连接；（4）在薄片阵列之间填充聚合物I；（5）打磨表面的聚合物I，露出导电层，即获得可形成微电场梯度的结构。本发明结构新颖，制备简单，可在生物、光学、光电、信息等领域获得应用。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 梯度 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
微电场梯度结构，其特征是，所述微电场梯度结构包括电阻基体、电阻基体表面的聚合物I、包埋在聚合物I并垂直于电阻基体的间隔一定间距的聚合物II薄片阵列以及附着在薄片表面并与电阻基体相连的导电层。
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