[发明专利]一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210380046.1 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN103310972A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 高学绪;李明明;包小倩;孙绪新;董清飞 申请(专利权)人: 中磁科技股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;B22F9/04;B22F3/16
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 044200 山西省运城*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明属于稀土永磁材料领域,特别提供了一种高致密度细晶烧结钕铁硼的制备方法。生产方法包括:母合金冶炼浇铸制成速凝薄带,通过氢破气流磨制粉,并取向压型后,通过热等静压烧结致密化,最后经过回火处理,得到产品。本发明中,通过在烧结过程中施加不低于0.5MPa的气体压力,不仅使磁体致密度增加,而且可以降低烧结温度、缩短烧结时间,使晶粒得到明显细化,晶间富钕相分布更加均匀,从而提高磁体的剩磁和矫顽力,综合性能显著提升。
搜索关键词: 一种 性能 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法
【主权项】:
一种高致密度细晶烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征是:工艺步骤为:a.钕铁硼速凝薄片经过氢破气流磨制粉并取向压型后,置于烧结炉内,抽真空,将炉内气体和坯料表面吸附的气体抽出;b.炉子开始升温并继续抽真空;c.炉子升温达到或快要达到烧结温度之前,停止抽真空,通入高纯惰性气体施加压力,在烧结温度下进行烧结,烧结时间与产品尺寸、产品的品种、档次因素有关;d.烧结结束时,通过气流快速均匀冷却。
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