[发明专利]一种高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法无效
| 申请号： | 201210380046.1 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103310972A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 高学绪;李明明;包小倩;孙绪新;董清飞 | 申请（专利权）人： | 中磁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;B22F9/04;B22F3/16 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 044200 山西省运城*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 性能 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高致密度细晶烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征是：
工艺步骤为：
a.钕铁硼速凝薄片经过氢破气流磨制粉并取向压型后，置于烧结炉内，抽真空，
将炉内气体和坯料表面吸附的气体抽出；
b.炉子开始升温并继续抽真空；
c.炉子升温达到或快要达到烧结温度之前，停止抽真空，通入高纯惰性气体施加压力，在烧结温度下进行烧结，烧结时间与产品尺寸、产品的品种、档次因素有关；
d.烧结结束时，通过气流快速均匀冷却。
2.根据权利要求1所述的一种高致密度细晶烧结钕铁硼的制备方法，其特征是烧结时通入的高纯惰性气体为高纯氩气或氮气。
3.根据权利要求2所述的一种高致密度细晶烧结钕铁硼的制备方法，其特征是通入高纯惰性气体施加的压力要大于0.5Mpa
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