[发明专利]一种获得高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法无效
申请号: | 201210378590.2 | 申请日: | 2012-10-09 |
公开(公告)号: | CN103310971A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 高学绪;包小倩;李明明;孙绪新;董清飞 | 申请(专利权)人: | 中磁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F7/02;H01F1/057;B22F3/10 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
地址: | 044200 山西省运城*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明提供了一种获得高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法,属于稀土永磁材料领域。其特征是在目前工艺的基础上,在对磁粉进行气流磨过程中加入质量分数为0.05%~0.3%的硫化物,硫化物可以是MoS2、MnS、CaS,硫化物具有良好的润滑性能,使其在接下来的磁场取向压型过程中磁粉颗粒间的摩擦阻力大大降低,取向度得到提升,提高了剩磁。同时在烧结过程中,提高了液相的流动性,富钕相分布更加均匀,硫化物在晶界也起到了钉扎作用,抑制了晶粒的长大,晶粒尺寸均匀性得到改善,提高了矫顽力,从而提升了烧结钕铁硼磁体的整体磁性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 获得 性能 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种获得高性能烧结钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于:在制造烧结钕铁硼磁体的气流磨阶段,加入一定量的硫化物粉末;具体工艺流程为:(a)单合金法工艺流程:配料→冶炼合金→鳞片铸锭(SC)→氢破→气流磨、添加质量分数为0.05%~0.3%的硫化物粉末→磁场取向与模压→冷等静压→烧结→热处理→后续加工;(b)双合金法工艺流程为:采用配料→冶炼→鳞片铸锭(SC)→氢破→气流磨的工艺分别制备主合金和辅合金粉末并添加质量分数为0.05%~0.3%的硫化物粉末,然后按比例混合,再经磁场取向与模压→冷等静压→烧结→热处理→后续加工。
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