[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生长多晶硅锭的方法

摘要

本发明提供了一种用多晶铸锭炉生长多晶硅锭的方法，包括：在坩埚内铺设硅料，将坩埚装入所述多晶铸锭炉内；将所述多晶铸锭炉抽真空、检漏，检漏通过后，开始加热；达到规定温度后进入熔化过程，同时向所述多晶铸锭炉充入氩气，直至硅料完全熔化；开始长晶过程，当温度降低到1400-1480℃之间时，将所述多晶铸锭炉的隔热装置按要求向上提升，并控制长晶速度为0-45mm/h之间，通过所述炉体的水冷系统对所述容器进行冷却；当硅液完全凝固后，进入退火过程，降温至400℃以内，硅锭出炉。本发明所述方法提高了多晶硅锭的生产效率，降低了生产成本，提高了硅锭和硅片的平均质量。本发明还提供了一种生长多晶硅锭的多晶铸锭炉。

主权项

一种用多晶铸锭炉生长多晶硅锭的方法，其特征在于，包括：1)在坩埚内铺设硅料，将坩埚装入多晶铸锭炉内；2)将所述多晶铸锭炉抽真空、检漏，检漏通过后，开始加热；3)达到规定温度1175‑1560℃之间后，进入熔化过程，同时向所述多晶铸锭炉充入氩气，所需氩气压力为0.1‑0.8MPa；4)当硅料完全熔化后，进入长晶过程，长晶温度控制在1400‑1480℃之间，并按设定值来提升隔热装置，以此控制长晶速度为0‑45mm/h之间，期间通过所述炉体的水冷系统对所述容器进行冷却，所需冷却水压差为0.2‑0.3MPa，水流量为140‑220L/min；5)当硅液完全凝固至固体后，进入退火过程，以降低硅锭内部应力，完成退火过程后，进入冷却过程，使硅锭冷却，降温至400℃以内，冷却结束后，硅锭出炉。