[发明专利]过流保护电路

摘要

本发明公开了一种过流保护电路。该电路电压源连接第一PMOS晶体管的源极、第二PMOS晶体管的源极和第三PMOS晶体管的源极；电压输出端连接第二差分放大器的负极输入端和第三PMOS晶体管的漏极，并通过第二电阻接地；第二PMOS晶体管的栅极连接第一PMOS晶体管的漏极和第三PMOS晶体管的栅极，漏极连接NMOS晶体管的漏极和第二差分放大器的正极输入端；NMOS晶体管的源极连接第一差分放大器的负极输入端并通过第一电阻接地，栅极连接第二差分放大器的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接参考电压输入端，输出端连接第一PMOS晶体管的栅极。电路结构简单，采用器件减少因此节省了成本并且自身功耗低。

主权项

一种过流保护电路，其特征在于，包括第一差分放大器（AMP1）、第二差分放大器（AMP2）、第一PMOS晶体管（P1）、第二PMOS晶体管（P2）、第三PMOS晶体管（P3）、NMOS晶体管（N1）、第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；电压源（VDD）连接至第一PMOS晶体管（P1）的源极、第二PMOS晶体管（P2）的源极和第三PMOS晶体管（P3）的源极；电压输出端（Vout）连接至第二差分放大器（AMP2）的负极输入端和第三PMOS晶体管（P3）的漏极，并通过第二电阻（R2）接地（GND）；第二PMOS晶体管（P2）的栅极连接至第一PMOS晶体管（P1）的漏极和第三PMOS晶体管（P3）的栅极，漏极连接至NMOS晶体管（N1）的漏极和第二差分放大器（AMP2）的正极输入端；NMOS晶体管（N1）的源极连接至第一差分放大器（AMP1）的负极输入端并通过第一电阻（R1）接地（GND），栅极连接至第二差分放大器（AMP2）的输出端；第一差分放大器的正极输入端连接至参考电压输入端（Vref），输出端连接至第一PMOS晶体管（P1）的栅极。