[发明专利]光伏发电装置及其制造方法、光伏发电装置阵列、晶片无效
申请号: | 201210353270.1 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103022184A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 片冈耕太郎 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0352;H01L31/18;H02N6/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛立群;李浩 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光伏发电装置及其制造方法、光伏发电装置阵列、晶片。光伏发电装置具备:第一光伏发电元件,面形状为三角形;以及第二光伏发电元件,面形状为作为四边形以上的多边形的梯形。第一光伏发电元件例如为等腰三角形,第二光伏发电元件例如为等腰梯形。 | ||
搜索关键词: | 发电 装置 及其 制造 方法 阵列 晶片 | ||
【主权项】:
一种光伏发电装置,其中,具备:第一光伏发电元件,面形状为三角形;以及第二光伏发电元件,面形状为四边形以上的多边形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的