[发明专利]低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法有效

专利信息
申请号: 201210348244.X 申请日: 2012-09-18
公开(公告)号: CN102867918A 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 胡俊青;彭彦玲;陈志钢;胡向华;刘倩;薛雅芳;蒋林;张冰洁 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/46;C01B19/04;B82Y30/00
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,本发明是将有机溶剂与醋酸镉前驱体混合均匀,然后加入配体P3HT(聚3-己基噻吩)。在氮气保护下缓慢升温至100℃下搅拌30min,再加热到180-200℃,保持温度稳定下注入180-200℃的Se源,反应10-20min,然后自然冷却至室温。将所得的沉淀用过量的乙醇洗涤、分离,即得到CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶。本发明操作简单,无设备要求,合成温度低;产物可制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化;所使用的各种溶剂均对环境友好,无高毒性副产物产生。
搜索关键词: 低温 液相法 合成 cdse p3ht 结构 纳米 方法
【主权项】:
一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,包括:将二甲亚砜与三氯苯混合,磁力搅拌下加入镉源和聚3‑己基噻吩P3HT,在氮气保护下升温至100℃下搅拌30min,再加热到180‑200℃,温度稳定下注入180‑200℃的硒源,再反应10‑20min,然后自然冷却至室温;二甲亚砜、三氯苯、镉源、3‑己基噻吩P3HT、硒源的配比为8mL∶16mL∶0.13‑1.3g∶50‑100mg∶0.0192‑0.0768g;将所得CdSe沉淀用过量的乙醇洗涤和分离后干燥,即得到CdSe/P3HT杂化纳米晶。
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