[发明专利]低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法有效
申请号: | 201210348244.X | 申请日: | 2012-09-18 |
公开(公告)号: | CN102867918A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 胡俊青;彭彦玲;陈志钢;胡向华;刘倩;薛雅芳;蒋林;张冰洁 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;C01B19/04;B82Y30/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达;谢文凯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,本发明是将有机溶剂与醋酸镉前驱体混合均匀,然后加入配体P3HT(聚3-己基噻吩)。在氮气保护下缓慢升温至100℃下搅拌30min,再加热到180-200℃,保持温度稳定下注入180-200℃的Se源,反应10-20min,然后自然冷却至室温。将所得的沉淀用过量的乙醇洗涤、分离,即得到CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶。本发明操作简单,无设备要求,合成温度低;产物可制成“纳米晶墨水”,用于组装太阳能电池,容易规模化;所使用的各种溶剂均对环境友好,无高毒性副产物产生。 | ||
搜索关键词: | 低温 液相法 合成 cdse p3ht 结构 纳米 方法 | ||
【主权项】:
一种低温液相法合成CdSe/P3HT超结构杂化纳米晶的方法,包括:将二甲亚砜与三氯苯混合,磁力搅拌下加入镉源和聚3‑己基噻吩P3HT,在氮气保护下升温至100℃下搅拌30min,再加热到180‑200℃,温度稳定下注入180‑200℃的硒源,再反应10‑20min,然后自然冷却至室温;二甲亚砜、三氯苯、镉源、3‑己基噻吩P3HT、硒源的配比为8mL∶16mL∶0.13‑1.3g∶50‑100mg∶0.0192‑0.0768g;将所得CdSe沉淀用过量的乙醇洗涤和分离后干燥,即得到CdSe/P3HT杂化纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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