[发明专利]用于光伏钝化的前体

摘要

本发明公开了在光伏电池上产生钝化层的沉积方法。所述方法包括沉积包含至少进一步包括氧化硅和氮化硅层的双层的钝化层。在一个方面，用于沉积氧化硅层或氮化硅层的硅前体分别选自SiRxHy族，或选自SiRxH族、硅烷及其组合，其中，在SiRxHy中，x+y＝4，y≠4，且R可以独立地选自：C1-C8直链烷基，其中该配体可以是饱和或不饱和的；C1-C8支链烷基，其中该配体可以是饱和或不饱和的；C1-C8环烷基，其中该配体可以是饱和的、不饱和的或芳族的；和NR*3，其中R*可以独立地是：氢；或直链、支链、环状、饱和或不饱和的烷基。本发明还公开了包含所述钝化层的光伏器件。

主权项

一种在腔室中在光伏电池上沉积至少一个钝化层的方法，包括以下步骤：提供具有后表面和前表面的光伏电池；提供第一硅前体；提供氧源；在光伏电池的至少一个表面上沉积具有5‑70nm厚度的氧化硅层；提供第二硅前体；提供氮源；和在氧化硅层上沉积具有20‑200nm厚度的氮化硅层；其中，具有25‑600nm厚度的钝化层包括包含所述氧化硅层和所述氮化硅层的至少一个双层。