[发明专利]用于光伏钝化的前体

权利要求书

1.一种在腔室中在光伏电池上沉积至少一个钝化层的方法，包括以下步骤：

提供具有后表面和前表面的光伏电池；

提供第一硅前体；

提供氧源；

在光伏电池的至少一个表面上沉积具有5-70nm厚度的氧化硅层；

提供第二硅前体；

提供氮源；和

在氧化硅层上沉积具有20-200nm厚度的氮化硅层；

其中，具有25-600nm厚度的钝化层包括包含所述氧化硅层和所述氮化硅层的至少一个双层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第一硅前体选自SiR_xH_y族；和

所述第二硅前体选自硅烷、SiR_xH_y族及其组合；

其中x+y＝4，y≠4，且

R独立地选自以下：

C₁-C₈直链烷基，其中该配体是饱和或不饱和的；

C₁-C₈支链烷基，其中该配体可以是饱和或不饱和的；

C₁-C₈环烷基，其中该配体可以是饱和、不饱和或芳族的；和

NR^*₃；

其中R^*可以独立地选自以下：

氢；和直链、支链、环状、饱和或不饱和的烷基。

优选地，所述C₁-C₈直链烷基选自甲基、乙基、丁基、丙基、己基、乙烯基、烯丙基、1-丁烯基和2-丁烯基；

所述C₁-C₈支链烷基选自异丙基、异丙烯基、异丁基和叔丁基；和

所述C₁-C₈环烷基选自环戊基、环己基、苄基和甲基环戊基。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述SiR_xH_y族选自甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、乙基硅烷、二乙基硅烷、四乙基硅烷、丙基硅烷、二丙基硅烷、异丁基硅烷、叔丁基硅烷、二丁基硅烷、甲基乙基硅烷、二甲基二乙基硅烷、甲基三乙基硅烷、乙基三甲基硅烷、异丙基硅烷、二异丙基硅烷、三异丙基硅烷、二异丙基氨基硅烷、氨基硅烷、二氨基硅烷、甲基氨基硅烷、乙基氨基硅烷、二乙基氨基硅烷、二甲基氨基硅烷、双叔丁基氨基硅烷和双异丙基氨基(甲基乙烯基硅烷)及其组合。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述第一硅前体是四甲基硅烷，且所述第二硅前体是三甲基硅烷，优选所述第一硅前体和所述第二硅前体是相同的，更优选所述第一硅前体和所述第二硅前体都是三乙基硅烷。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述氧源选自O₂、N₂O、臭氧、过氧化氢、NO、NO₂、N₂O₄及其混合物；且所述氮源选自氨、甲胺、二甲胺、三甲胺及其混合物。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其中沉积方法是化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中，所述氧源和氮源独立地以500-10,000sccm的速率流入所述腔室中；所述第一硅前体和所述第二硅前体独立地以10sccm-1700sccm的速率流入腔室中。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述氧化硅层在200℃-400℃的温度下沉积，且所述氮化硅层在300℃-450℃的温度下沉积。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中，所述钝化层具有＜200厘米/秒的表面复合速度，优选所述钝化层具有＜100厘米/秒的表面复合速度。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，进一步包括在800-950℃下热处理所述钝化层1-10秒的步骤。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述氧化硅层具有5至45nm的厚度；和所述氮化硅层具有30到150nm的厚度。