[发明专利]LED磊晶制程有效
| 申请号： | 201210334114.0 | 申请日： | 2012-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN103682005A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;黄世晟;凃博闵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种LED磊晶制程，包括以下的步骤：在基板的表面上生长缓冲层；在第一温度下，在缓冲层的表面生长第一磊晶层；在低于第一温度的第二温度下，在第一磊晶层的表面生长第二磊晶层，从而使第二磊晶层的表面粗糙化；蚀刻第二磊晶层和第一磊晶层，直至将第二磊晶层的粗糙表面复刻至第一磊晶层；在第一磊晶层的粗糙表面沉积一层二氧化硅层；蚀刻二氧化硅层的顶面直至暴露出第一磊晶层，以形成多个凸起；以及在第一磊晶层上依次成长N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层。所述第一磊晶层的粗糙表面以及二氧化硅层的凸起可有效对发光层所发出的光线进行反射及阻挡，从而提高LED晶粒的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | led 磊晶制程 | ||
【主权项】：
一种LED磊晶制程，包括以下的步骤：提供基板，在所述基板的表面上生长缓冲层；在第一温度下，在缓冲层的表面生长第一磊晶层；在低于第一温度的第二温度下，在第一磊晶层的表面生长第二磊晶层，从而使第二磊晶层的表面粗糙化；蚀刻第二磊晶层和第一磊晶层，直至将第二磊晶层的粗糙表面复刻至第一磊晶层；在第一磊晶层的粗糙表面沉积二氧化硅层；蚀刻二氧化硅层的顶面直至暴露出第一磊晶层，以形成多个凸起；以及在第一磊晶层上依次成长N型磊晶层、发光层以及P型磊晶层。
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