[发明专利]具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法有效
| 申请号： | 201210333661.7 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102829884A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 成日盛;刘建设;李铁夫;陈炜 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贾玉健 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法，该SNSPD基于高折射率入射介质和空气腔结构，可以进一步提高超导纳米线的光子吸收率，与现有技术相比，本发明用相同材料和厚度的超导超薄膜制成纳米线的条件下，用更低的占空比就可以实现接近于100％的吸收率，这使得电子束曝光步骤的难度大大降低，这尤其对于超细纳米线的制备来说更为有利，而SOI衬底的采用则可以同时保证超导薄膜的高质量生长，不影响探测器的本征量子效率，另外，在保证同样大的有效探测面积的条件下，由于需要的纳米线的总长度显著减小，探测器的最高计数率可以得到提升，制备过程中发生缺陷的概率显著降低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 吸收 结构 高速 snspd 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有强吸收结构的高速SNSPD，其特征在于，包括底层Si衬底一（1），在底层Si衬底一（1）沉积有多层Si/SiO2周期排布构成的布拉格反射镜（2），布拉格反射镜（2）顶端设置有外延单晶Si形成的底层谐振腔一（3），在底层谐振腔一（3）上方有超导纳米线一（4），超导纳米线一（4）上有上层空气谐振腔（5），上层空气谐振腔（5）上方有Si片（6），Si片（6）上有防反射膜一（7）。
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