[发明专利]脉冲电场强化降解制备低聚原花青素的方法有效

专利信息
申请号: 201210332841.3 申请日: 2012-09-10
公开(公告)号: CN102924422A 公开(公告)日: 2013-02-13
发明(设计)人: 曾新安;赵丹;孙大文;韩忠 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C07D311/62 分类号: C07D311/62
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 蔡茂略
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了脉冲电场强化降解制备低聚原花青素的方法,该方法以高聚原花青素为原料,利用脉冲电场辅助降解制备低聚原花青素。具体是高聚原花青素溶解、添加亚硫酸盐、脉冲电场处理、分离、醇洗脱杂、纯化、浓缩、干燥得低聚原花青素。脉冲电场处理是将高聚原花青素溶液泵入脉冲处理室中进行处理,电场强度为40-60kV/cm,脉冲宽度为50-120μs,脉冲频率为100-3000Hz,脉冲波形为平方波,脉冲处理时间为3-20ms;本发明的制备方法可行、电场处理时间短,实用性强、节能环保、从而拓展了高聚原花青素在药品、食品、化妆品及保健品领域的应用的范围。
搜索关键词: 脉冲 电场 强化 降解 制备 低聚原 花青素 方法
【主权项】:
脉冲电场强化降解制备低聚原花青素的方法,其特征在于:将聚合度大于5的高聚原花青素溶解于6‑10体积倍的质量百分含量为1‑6%的亚硫酸盐水溶液或亚硫酸氢盐水溶液中,在40‑60℃下,脉冲电场连续处理3‑20ms,然后分离、醇洗脱杂、纯化,最后浓缩、干燥得低聚原花青素。
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