[发明专利]一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法

摘要

本发明公开一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括：在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层，在其上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层，将衬底放入腐蚀液进行腐蚀，将光刻胶光栅图形倍频转移至硅层上，去除二氧化硅掩膜层和氟碳基有机聚合物层，得到清洁的倍频V形纳米硅槽衬底。本发明采用纳米光刻技术简单有效的获得了纳米尺度的周期性光栅结构，并结合干湿法刻蚀技术，将图形周期减少一倍，图形密度增加一倍，得到线宽精度更高的倍频V形纳米硅槽衬底，适用于硅基量子线，硅基光纤阵列等器件的制备。

主权项

一种制备周期性V形纳米硅槽的倍频方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上沉积二氧化硅掩膜层；步骤2，在所述二氧化硅掩膜层之上旋涂光刻胶，制备周期性纳米光刻胶光栅图形；步骤3，采用干法刻蚀技术将该光刻胶光栅图形转移至二氧化硅掩膜层，同时在刻蚀过后的硅层上留下可充当刻蚀掩膜作用的氟碳基有机聚合物层；步骤4，将步骤3得到的衬底放入腐蚀液进行腐蚀，将光刻胶光栅图形倍频转移至硅层上；步骤5，利用氢氟酸溶液去除二氧化硅掩膜层，采用干法刻蚀技术去除氟碳基有机聚合物层，得到清洁的倍频V形纳米硅槽衬底。