[发明专利]一种光场探测元件无效
| 申请号： | 201210320312.1 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN103680607A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王辉;俞崇祺;黄旭 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;H01L31/08 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光场探测元件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的氧化物层；形成在所述氧化物层上的金属薄膜层；形成在所述金属薄膜层上的挡光层，所述挡光层的一端设有透光孔；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。本发明的光场探测元件根据激光照射金属薄膜层产生的光致电阻效应，可以用电阻变化表示存储单元有光和无光两种状态，电阻随激光照射位置变化的空间分辨率非常高，因而本发明的光场探测元件可以显著提高光存储器的密度；同时可以用于制备光控变阻器、光控二极管，此外，本发明结构简单，适用于大规模工业生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测 元件 | ||
【主权项】：
一种光场探测元件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的氧化物层；形成在所述氧化物层上的金属薄膜层；分别设置在所述金属薄膜层两端的第一电极和第二电极；分别与所述第一电极和第二电极连接的第一电极引线和第二电极引线。
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