[发明专利]氮化镓基液体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210319891.8 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102830137A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 罗卫军;陈晓娟;袁婷婷;庞磊;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。本发明还公开了一种氮化镓基液体传感器的制备方法。本发明提供的一种氮化镓基液体传感器及其制备方法，结合AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点，研制出性能优异的液体传感器，在国家安全、环境保护、医疗卫生、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 液体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基液体传感器，其特征在于，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述表面钝化层设置在所述欧姆接触电极及肖特基接触电极之间；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。
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