[发明专利]一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法无效
| 申请号： | 201210312734.4 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103633185A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 汤丹;王立建 | 申请（专利权）人： | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 214200 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明提供了一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法，包括：对硅片进行预处理，在所述硅片表面形成a-Si:H薄膜，在所述a-Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜，烧结。即，首先以H为主在硅片表面形成一膜层，对硅片表面起到一定的钝化作用，然后形成SiNx:H薄膜，而且SiNx:H薄膜中的H可以对硅片表面起到二次钝化的作用，使得硅片表面的钝化更充分，尽可能的减少硅片表面的杂质、位错和晶界等缺陷，与现有的减反射膜相比，本申请所提供的方法可以有效的减少硅片表面的杂质、位错和晶界等缺陷的存在，提高多晶硅太阳电池的输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池钝化膜的制备方法，其特征在于，包括：对硅片进行预处理；在所述硅片表面形成a‑Si:H薄膜；在所述a‑Si:H薄膜表面形成SiNx:H薄膜；烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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