[发明专利]N型太阳能电池及其制造工艺有效
申请号: | 201210309888.8 | 申请日: | 2012-08-28 |
公开(公告)号: | CN102800757A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 王英超;刘大伟;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种N型太阳能电池的制造工艺,包括步骤:1)硅片清洗制绒;2)在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆,所述背场面为掺杂磷杂质的面;3)磷、硼扩散;4)化学清洗表面并激光刻边,使上下两面绝缘;5)双面镀膜;6)印刷正背面电极;7)烧结。该制造工艺在进行磷、硼扩散之前,在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆,使得扩散结束后的电池片上的印刷磷浆区形成高掺杂深扩散区,其他区域形成低掺杂浅扩散区,硅片表面形成高低异质结,使N型太阳能电池获得选择性背场,提高了电池的光电转换效率。由于与腐蚀浆料相比,磷浆价格便宜,故能够降低生产成本。本发明还提供了一种N型太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
一种N型太阳能电池的制造工艺,其特征在于,包括以下步骤:1)硅片清洗制绒;2)在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆,所述背场面为掺杂磷杂质的面;3)磷、硼扩散;4)化学清洗表面并激光刻边,使上下两面绝缘;5)双面镀膜;6)印刷正背面电极;7)烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的