[发明专利]加速SD卡读写速度的方法和电路在审

专利信息
申请号: 201210306834.6 申请日: 2012-08-24
公开(公告)号: CN103631531A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 叶国平;汤晓岚 申请(专利权)人: 上海华虹集成电路有限责任公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种加速安全数码卡SD读写速度的方法,采用一SRAM,用于数据缓存,使得数据传输中的源端和目的端能同时访问,从而源端和目的端能并行操作;采用一接收计数器,其工作在双时钟域,在写操作的软件流程的控制下实现加“1”和复位操作,在硬件流程的控制下实现减“1”操作,用于表示SRAM中有多少空间还可以用于数据接收;采用一发送计数器,其工作在双时钟域,在读操作的软件流程的控制下实现加“1”和复位操作,在硬件流程的控制下实现减“1”操作,用于表示SRAM中有多少数据可以发送。本发明还公开了一种加速安全数码卡SD读写速度的电路。本发明使SD卡能保证数据的正确性,良好的兼容性,又能有非常好的速度性能。
搜索关键词: 加速 sd 读写 速度 方法 电路
【主权项】:
一种加速安全数码卡SD读写速度的方法,其特征在于:采用一个双端口的静态随机存储器SRAM,用于数据缓存;使得数据传输中的源端和目的端能同时访问,从而源端和目的端能并行操作;采用一个接收计数器,其工作在双时钟域,在写操作的软件流程的控制下实现加“1”和复位操作;在硬件流程的控制下实现减“1”操作;用于表示静态随机存储器SRAM中有多少空间能用于数据接收;采用一个发送计数器,其工作在双时钟域,在读操作的软件流程的控制下实现加“1”和复位操作;在硬件流程的控制下实现减“1”操作;用于表示静态随机存储器SRAM中有多少数据能发送。
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