[发明专利]一种太阳能晶硅电池的开窗工艺

摘要

本发明公开了一种太阳能晶硅电池的开窗工艺，其目的在于解决传统激光开窗工艺对晶体硅基体损伤大、对厚度不均匀的硅片开窗效果不稳定，对背面沉积薄膜厚度均匀性要求高等问题。本发明采用化学蚀刻的方法进行开窗，高选择性，对硅片没有损伤，适用性好，对厚度不均匀的硅片开窗效果稳定，对背面沉积薄膜厚度均匀性要求低。

主权项

一种太阳能晶硅电池的开窗工艺，其特征在于：所述的开窗工艺步骤如下：（1）前道制程：单晶硅片在质量浓度0.8%‑1.5%的NaOH溶液中制绒10‑25min在硅片的正面及背面形成金字塔绒面结构，再用纯水清洗，甩干；然后在硅片的正面进行磷扩散形成发射极，扩散方阻为65‑75 R方；用HF溶液将硅片表面的磷硅玻璃清洗干净，并甩干；接着在硅片正面用PECVD法沉积一层氮化硅减反膜，厚度为65‑80nm，折射率为1.9‑2.1；（2）背面抛光：将步骤（1）处理得到的硅片放入抛光液中化学抛光3‑15min，化学抛光温度为70‑90℃；（3）沉积背钝化层：采用原子层沉积法在步骤（2）背面抛光后的硅片的背面沉积一层厚度10‑15nm的氧化铝钝化层，沉积温度控制在200‑220℃；然后再在氧化铝钝化层的外表面用PECVD法沉积一层厚度为80‑100nm的氮化硅保护层；（4）背面开窗：将蚀刻浆料丝网印刷在沉积完氧化铝钝化层和氮化硅保护层的硅片背面，接着放入红外烘箱中以200‑400℃的温度处理1‑2min，最后依次用质量浓度0.05%‑0.2%的KOH溶液及纯水超声清洗1‑3min，并甩干；（5）丝网印刷与烧结：采用金属浆料丝网印刷在步骤（4）处理完的硅片的正面、背面制电极，经烘干、烧结得太阳能晶硅电池。