[发明专利]一种太阳能晶硅电池的开窗工艺有效
申请号: | 201210306039.7 | 申请日: | 2012-08-27 |
公开(公告)号: | CN102969390A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 韩健鹏;陈金灯;吴敏;吕绍杰 | 申请(专利权)人: | 横店集团东磁股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 322118 浙江省金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池 开窗 工艺 | ||
1. 一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:所述的开窗工艺步骤如下:
(1)前道制程:单晶硅片在质量浓度0.8%-1.5%的NaOH溶液中制绒10-25min在硅片的正面及背面形成金字塔绒面结构,再用纯水清洗,甩干;然后在硅片的正面进行磷扩散形成发射极,扩散方阻为65-75 R方;用HF溶液将硅片表面的磷硅玻璃清洗干净,并甩干;接着在硅片正面用PECVD法沉积一层氮化硅减反膜,厚度为65-80nm,折射率为1.9-2.1;
(2)背面抛光:将步骤(1)处理得到的硅片放入抛光液中化学抛光3-15min,化学抛光温度为70-90℃;
(3)沉积背钝化层:采用原子层沉积法在步骤(2)背面抛光后的硅片的背面沉积一层厚度10-15nm的氧化铝钝化层,沉积温度控制在200-220℃;然后再在氧化铝钝化层的外表面用PECVD法沉积一层厚度为80-100nm的氮化硅保护层;
(4)背面开窗:将蚀刻浆料丝网印刷在沉积完氧化铝钝化层和氮化硅保护层的硅片背面,接着放入红外烘箱中以200-400℃的温度处理1-2min,最后依次用质量浓度0.05%-0.2%的KOH溶液及纯水超声清洗1-3min,并甩干;
(5)丝网印刷与烧结:采用金属浆料丝网印刷在步骤(4)处理完的硅片的正面、背面制电极,经烘干、烧结得太阳能晶硅电池。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:步骤(1)制绒的温度控制在70-90℃。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:步骤(1)中HF溶液的体积浓度为7%-9%。
4.根据权利要求1或2或3所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:步骤(2)所述抛光液由有机强碱、无水乙醇和纯水混合制成,有机强碱的体积浓度为10-15%,无水乙醇的体积浓度为3-5%。
5.根据权利要求4所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:所述有机强碱为四甲基氢氧化铵。
6.根据权利要求1或2或3所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:步骤(4)中蚀刻浆料用量为0.01-0.05g/cm2。
7.根据权利要求4所述的一种太阳能晶硅电池的开窗工艺,其特征在于:所述蚀刻浆料由以下重量百分数的组分混合制成:浓磷酸10-15%,松油醇8-12%,乙基纤维素12-18%,石墨粉30-35%,聚乙二醇余量。
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