[发明专利]一种掺入量子点的多结叠层太阳电池设计

摘要

本发明涉及太阳能光伏发电领域，具体公开了一种掺入量子点的多结叠层太阳电池的设计，该电池包括前电极、子层A减反射层、子层B顶电池层、子层C背场层1、子层D隧穿结1、子层E中间层1、子层F背场层2、子层G隧穿结2、子层H中间层2、子层I隧穿结3、子层J底电池层、子层K衬底层和后电极，是在GaInP/GaAs/GaInAs/Ge四结叠层电池的GaAs子层引入量子点超晶格结构，利用量子点的带隙可调性，改善叠层电池整体的电流匹配和光谱利用率，并在子层B顶电池层和子层E中间层1中加入窗口层和背场结构，使得短波长光被充分吸收，电池各子层的带隙基本满足1.8eV、1.4eV、1.0eV、0.7eV，以充分吸收各波段的太阳光谱。

主权项

一种掺入量子点的多结叠层太阳电池结构，其特征在于：该结构包括前电极、子层A减反射层、子层B顶电池层、子层C背场层1、子层D隧穿结1、子层E中间层1、子层F背场层2、子层G隧穿结2、子层H中间层2、子层I隧穿结3、子层J底电池层、子层K衬底层和后电极。