[发明专利]辐射温度场加速腐蚀的研抛装置有效

专利信息
申请号: 201210292349.8 申请日: 2012-08-16
公开(公告)号: CN102794698A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 马臻;许亮;丁蛟腾;陈钦芳 申请(专利权)人: 中国科学院西安光学精密机械研究所
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;B24B37/015
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710119 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置,主要解决了现有光学元件,尤其是非球面光学元件加工时成本较高,加工效率较低的问题。该辐射温度场加速腐蚀的研抛装置,包括用于承载被加工元件的承载机构和腐蚀液储液槽,承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内;配置有透明磨具,与被加工工件机械接触;温度场生成设备与控制机构连接;所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。本发明可实现非球面光学元件的快速抛光,适合与大口径光学元件的研磨抛光,成本低廉。
搜索关键词: 辐射 温度场 加速 腐蚀 装置
【主权项】:
一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置,包括用于承载被加工元件的承载机构,其特征在于:还包括腐蚀液储液槽,承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内;配置有透明磨具,与被加工工件机械接触;温度场生成设备与控制机构连接;所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。
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