[发明专利]具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是一种具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池在主栅下具有无发射极区，主栅覆盖的区域大于无发射极区，硅基体受光面的无发射极区外的其他区域为具有发射极的发射极区，主栅和硅基体之间具有隔绝主栅和硅基体的介质膜。其制备方法为：在热扩散或者离子注入掺杂工艺中，通过扩散掩模或离子注入挡板保护主栅下的无发射极区，在无发射极区外的其他区域形成均匀发射极或选择性发射极,然后在硅基体的受光面镀介质膜，在介质膜上制作栅线。本发明的有益效果是：将主栅下的区域设为无发射极，可以进一步降低电池的反向饱和电流，同时利用介质膜钝化，提高电池开路电压和短路电流。

主权项

一种具有无发射极区的太阳能电池，包括硅基体，在硅基体受光面上具有栅线，栅线分为细栅（2）和汇集细栅（2）电流的主栅（4），其特征是：在所述的硅基体的受光面上具有发射极区和无发射极区，无发射极区位于主栅覆盖区域内，主栅（4）和无发射极区的硅基体通过介质膜（5）隔离，细栅（2）与无发射极区（3）的硅基体不接触。