[发明专利]集成电路中介质击穿可靠性分析的测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201210290647.3 | 申请日： | 2012-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN103594453A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王笃林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种集成电路中介质击穿可靠性分析的测试结构，该测试结构包括：下层金属线结构，包括间隔排布的第一金属线结构和第二金属线结构；上层金属线结构；通孔结构及电介质。本发明还揭示了该测试结构的测试方法，包括：提供一衬底，根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测结构；测量所述实际待测结构中下层金属线结构的相邻金属线之间的介质击穿可靠性、所述实际待测结构中上层金属线结构和下层金属线结构之间的介质击穿可靠性、所述实际待测结构中通孔与相邻第二金属线结构之间的介质击穿可靠性。本发明的测试结构，能准确评估实际电路中电介质耐电压能力需要评估的地方，从而保证互连线可靠性分析的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 介质击穿 可靠性分析 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路中介质击穿可靠性分析的测试结构，包括：下层金属线结构，包括间隔排布的第一金属线结构和第二金属线结构；上层金属线结构，位于所述下层金属线结构上，其排布方向垂直于所述下层金属线结构的排布方向；通孔结构，用以电连接所述第一金属线结构和所述上层金属线结构；电介质，所述第一金属线结构、第二金属线结构、上层金属线结构和通孔结构通过所述电介质绝缘间隔。
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