[发明专利]一种倒置三结太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201210287070.0 | 申请日： | 2012-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN102779890A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 单智发;张永;蔡建九;方天足;陈凯轩;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门市诚得知识产权代理事务所 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，其特征在于：在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙；本发明还提供上述倒置三结太阳能电池的生产方法；本发明有效提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒置 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种倒置三结太阳能电池，包括第一欧姆接触层，其特征在于：在第一欧姆接触层的上面依次连接有第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池、第二欧姆接触层，第一子电池、第二子电池、第三子电池的晶格常数相同，第一子电池具有第一带隙，第二子电池具有第二带隙，且其值小于第一带隙，第三子电池具有第三带隙，且其值小于第二带隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210287070.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有断电保护功能的智能电表通信模块电路结构
- 下一篇：交流电压同步采集电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
