[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201210285258.1 | 申请日： | 2012-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103576401A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;唐磊;张莹;裴扬;王振伟 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张颖玲;孟桂超 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种阵列基板，包括：栅极、半导体层、像素透明电极、第一数据线和第一公共透明电极，第一公共透明电极位于像素透明电极上，与像素透明电极之间形成电场；其特征在于，还包括：设置于非开口区域的第二数据线、第二公共透明电极和设置于绝缘层上的过孔；所述第二数据线与像素透明电极的延伸部相连，并通过绝缘层上的过孔与第二公共透明电极相连。本发明还同时公开了一种阵列基板的制备方法、显示装置，本发明可实现对TFT开关特性进行测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，该方法包括：通过构图工艺在基板上顺序形成栅极、半导体层和像素透明电极的图形；通过构图工艺形成第一数据线、源漏电极、第二数据线的图形，所述第二数据线与所述像素透明电极连接；通过构图形成绝缘层，并在绝缘层上形成过孔；通过构图工艺形成第一公共透明电极、第二公共透明电极的图形；所述第二公共透明电极通过绝缘层上的过孔与所述第二数据线连接；其中，所述第二数据线与所述第二公共透明电极设置于非开口区域。
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