[发明专利]一种电阻并联反馈式差分低噪声放大器

摘要

本发明涉及一种电阻并联反馈式差分低噪声放大器，其包括主放大电路，所述主放大电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管及第四MOS管，第一MOS管的栅极端通过第一输入匹配网络与第一差分输入端相连，第二MOS管通过第二输入匹配网络与第二差分输入端相连，所述第一MOS管M1的漏极端与第一MOS管的栅极端间通过第一电阻并联反馈支路相连，第二MOS管的漏极端与第二MOS管的栅极端间通过第二电阻并联反馈支路相连；第一电阻并联反馈支路包括第一电阻及与所述第一电阻串联的第一电容；第二电阻并联反馈支路包括第二电阻及与所述第二电阻串联的第二电容。本发明减小放大器输出端的寄生电容，提高了放大器输出端到输入端的隔离度，高频特性好，增强了电路稳定性。

主权项

一种电阻并联反馈式差分低噪声放大器，包括主放大电路，所述主放大电路包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）及第四MOS管（M4），所述第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）及第四MOS管（M4）形成差分共源共栅电路；第一MOS管（M1）的栅极端通过第一输入匹配网络与第一差分输入端（RFINP）相连，第二MOS管（M2）通过第二输入匹配网络与第二差分输入端（RFINN）相连，第一MOS管（M1）的源极端与第二MOS管（M2）的源极端均与尾电流源相连；第三MOS管（M3）的栅极端与第四MOS管（M4）的栅极端均与电源VDD相连，第三MOS管（M3）的漏极端通过第一输出负载网络与电源VDD相连，第四MOS管（M4）的漏极端通过第二输出负载网络与电源VDD相连，第三MOS管（M3）的漏极端与第一差分输出端（RFOUTP）相连，第四MOS管（M4）的漏极端与第二差分输出端（RFOUTN）相连；第一MOS管（M1）的漏极端与第三MOS管（M3）的源极端相连，第二MOS管（M2）的漏极端与第四MOS管（M4）的源极端相连；其特征是：所述第一MOS管（M1）的漏极端与第一MOS管（M1）的栅极端间通过第一电阻并联反馈支路相连，第二MOS管（M2）的漏极端与第二MOS管（M2）的栅极端间通过第二电阻并联反馈支路相连；第一电阻并联反馈支路包括第一电阻（R1）及与所述第一电阻（R1）串联的第一电容（C1）；第二电阻并联反馈支路包括第二电阻（R2）及与所述第二电阻（R2）串联的第二电容（C2）。