[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201210276247.7 | 申请日: | 2012-08-06 |
公开(公告)号: | CN102779944A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 周建萍 | 申请(专利权)人: | 上海电力学院 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吴宝根 |
地址: | 200090 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法。所述的透明导电薄膜为层状结构,包括衬底、第一氧化物层、第二氧化物层、金属层,还包括抑制层,所述的抑制层直接插在金属层与氧化物层之间。本发明的透明导电薄膜中,通过插入抑制层使氧化物层与金属层界面处形成抑制金属层中原子向氧化物层扩散的半导体薄层。在较强受热情况下,金属薄膜中的原子因抑制薄层存在使得金属原子仍很好限制金属层中,达到强透明导电薄膜的热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种透明导电薄膜,从下到上依次由衬底,第一氧化物层、金属层和第二氧化物层组成,其特征在于还包括抑制层,所述的抑制层直接插在金属层与氧化物层之间,所述的氧化物层为第一氧化物层或第二氧化物层; 所述的抑制层的材料为金属、金属氧化物、氮化物或氟化物;其中所述的金属为铝、镁、铟、镓或锂;所述的金属氧化物为氧化铝或氧化铟;所述的氟化物为氟化镁或氟化锂。
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