[发明专利]真空溅射多层金属电极圆片瓷介电容器及其制备方法有效
| 申请号： | 201210276123.9 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102800475A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 李庆强;付振晓;王维;白清新;欧建伟;沓世我 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/00 | 分类号： | H01G4/00;H01G4/008 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;刘菁菁 |
| 地址： | 526020 广东省肇庆*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种真空溅射多层金属电极圆片瓷介电容器的制备方法，其包括以下步骤：（1）制备陶瓷基片；（2）对陶瓷基片进行表面清洗烘干；（3）采用真空溅射方法在陶瓷基片表面依次溅射金属内层镀膜及铜金属外层镀膜；（4）焊接外接引线、绝缘包封和测试。本发明通过真空多层金属镀膜技术生产以贱金属铜为主的多层电极圆片瓷介电容器，工序简化，不会破坏瓷介结构，尤其所采用的多层镀膜可使制得的产品具有良好的附着力，耐焊性，保证电性能合格。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 溅射 多层 金属电极 圆片瓷介 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种真空溅射多层金属电极圆片瓷介电容器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）制备陶瓷基片；（2）对陶瓷基片进行表面清洗烘干；（3）采用真空溅射方法在陶瓷基片表面依次溅射金属内层镀膜及铜金属外层镀膜；（4）焊接外接引线、绝缘包封和测试。
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