[发明专利]用于检查晶体缺陷结构的方法和系统无效
| 申请号： | 201210269014.4 | 申请日： | 2012-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN102854205A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | S·辛赫;A·苏罗米;V·K·托尔皮戈;A·金尼 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01N23/20 | 分类号： | G01N23/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;刘春元 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于检查晶体缺陷结构的方法和系统的实施方式。在方法中，尤其易受由晶体缺陷引起的衍射影响的X射线波长被识别。然后，提供X射线源发出被识别的X射线波长的X射线。当将结构设置在相对于X射线源的一系列位置时，使多个非平行阵列的X射线照射该结构，产生衍射X射线的系列图案。数字化捕获衍射X射线的图案并传送给计算机，计算机比较他们来定位晶体缺陷。对于表面缺陷，可使用目标物标记缺陷以允许物理移除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检查 晶体缺陷 结构 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种检查结构(30)的方法，包括：配置X射线源(12)以发射预定X射线波长的X射线(16)；将所述结构设置于相对于X射线源的多个位置(31)；对于每个位置，使预定X射线波长的X射线的非平行列阵朝向所述结构照射，用于由晶体缺陷(32)衍射来产生衍射X射线(36)的图案(38)；捕获衍射X射线的每个图案；并且互相比较每个捕获到的衍射X射线的图案以定位所述晶体缺陷。
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