[发明专利]使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法无效
申请号: | 201210248938.6 | 申请日: | 2012-07-18 |
公开(公告)号: | CN103572076A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 何学斌;王正民;陈超;周玺;苏建军;李珍珠;牛勤学;杨和平;周熙 | 申请(专利权)人: | 陕西锌业有限公司 |
主分类号: | C22B58/00 | 分类号: | C22B58/00;C22B9/02 |
代理公司: | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人: | 李中群 |
地址: | 726007 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法,其工艺步骤包括:将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中,启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa~50Pa,启动加热装置,使托盘底部温度达到700℃~750℃,在此温度范围内恒温保持120分钟,使粗铟中的鎘杂质挥发脱除;使加热装置升温致托盘底部温度达到1000℃~1100℃,在此温度范围内恒温保持120分钟,使粗铟中的铊杂质挥发脱除,获得精铟。本发明的优点是充分利用物质间物理性质的差异,采用物理方法进行分离,工艺简单合理、无污染、成本低、安全易操作,除镉、铊效果尤佳。 | ||
搜索关键词: | 使用 真空 蒸馏 脱除 粗铟中镉 方法 | ||
【主权项】:
一种使用真空蒸馏炉脱除粗铟中镉、铊的方法,其特征在于采用下述的工艺步骤:将装有普通粗铟原料的托盘放入电加热式真空蒸馏炉中,启动真空泵将蒸馏炉内的真空度控制在25Pa~50Pa,启动加热装置,使托盘底部温度达到700℃~750℃,在此温度范围内恒温保持120分钟,使粗铟中的鎘杂质挥发脱除;使加热装置升温致托盘底部温度达到1000℃~1100℃,在此温度范围内恒温保持120分钟,使粗铟中的铊杂质挥发脱除,获得精铟。
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