[发明专利]用于建模硅通孔的系统和方法有效
申请号: | 201210244555.1 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103310031B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 颜孝璁;林佑霖;郭晋玮 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种计算机实现的系统包括被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试电路中的至少一个来确定所述电路对输入射频(RF)信号的响应的处理器。中介层模型被包括在将由处理器访问的有形非暂时性机器可读存储介质中。中介层模型由所述计算机处理以输出表示衬底通孔(TSV)对射频(RF)信号响应的数据。中介层模型包括多个TSV模型,每个TSV模型都具有各自的三端口网络,每个三端口网络中的一个端口是浮置节点,各三端口网络的浮置节点相互连接。本发明还公开了用于建模硅通孔的系统和方法。 | ||
搜索关键词: | 用于 建模 硅通孔 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种用于分析中介层模型的计算机实现的系统,包括:处理器,被编程用于分析电路来为设计、制造以及测试所述电路中的至少一个确定所述电路对输入射频RF信号的响应;中介层模型,有形地包括在将被所述处理器访问的非暂时性机器可读存储介质中,所述中介层模型由所述计算机处理以输出表示衬底通孔(TSV)对所述射频RF信号响应的数据,所述中介层模型包括多个衬底通孔模型,每个衬底通孔模型都具有各自的三端口网络,每个三端口网络中的第一端口是浮置节点,第二端口是地电位端口,各三端口网络的所述浮置节点相互连接,其中,每个三端口网络包括:电容部件,包括固定电容部件以及表示所述中介层的电容和所述中介层的电阻的可变输入部件,所述可变输入部件表示相邻衬底通孔之间的不同间距,所述电容部件连接至所述浮置节点;第一电感部件,连接至所述电容部件与所述第二端口之间;第二电感部件,连接至所述电容部件与第三端口之间,其中,所述第一电感部件和所述第二电感部件中的每一个都包括具有不同电感的至少两个电感器。
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