[发明专利]微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用

摘要

一种微晶硅薄膜探测器的制备方法及其应用，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，刻蚀以形成TFT栅极；沉积第一绝缘层；依次继续沉积本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜，然后刻蚀以形成TFT有源区；继续沉积第二金属层，刻蚀以形成TFT源极和TFT漏极；继续沉积第二绝缘层，刻蚀以形成覆盖TFT的第二绝缘层；继续依次在TFT漏极上沉积n掺杂非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、p掺杂非晶硅薄膜以及透明导电层ITO薄膜；然后刻蚀以形成光电二极管；继续沉积第三绝缘层以覆盖第二绝缘层和上述光电二极管；刻蚀形成开孔；然后沉积第三金属层，刻蚀以形成电极。本发明将微晶硅薄膜应用于薄膜探测器，利用微晶硅薄膜较高的载流子迁移率，提高开口率和成像速度。

主权项

一种微晶硅薄膜探测器的制备方法，其特征在于，制备方法至少包括以下步骤：（1）提供一玻璃基板（10），在该玻璃基板上沉积第一金属层，刻蚀该第一金属层以形成TFT栅极（11）；（2）沉积第一绝缘层（12）；（3）依次继续沉积本征微晶硅薄膜（131）和n掺杂微晶硅薄膜（132），然后刻蚀所述两层微晶硅薄膜以形成TFT有源区；（4）继续沉积第二金属层，刻蚀该第二金属层以及该第二金属层下方的n掺杂微晶硅层（132）至本征微晶硅薄膜（131）上以形成TFT源极（142）和TFT漏极（141）；（5）继续沉积第二绝缘层，然后刻蚀该第二绝缘层以形成覆盖TFT的第二绝缘层（15）；（6）继续依次在TFT漏极（141）上沉积n掺杂非晶硅薄膜（164）、本征非晶硅薄膜（163）、p掺杂非晶硅薄膜（162）以及透明导电层ITO薄膜（161）；然后刻蚀上述四层薄膜以形成光电二极管；（7）继续沉积第三绝缘层（17）以覆盖第二绝缘层（15）和上述光电二极管；（8）刻蚀所述光电二极管上方的第三绝缘层（17）形成位于透明导电层ITO薄膜（161）上方的开孔；然后沉积第三金属层，刻蚀该第三金属层以形成将透明导电层ITO薄膜（161）引出的电极（18）。